化學(xué)機(jī)械拋光通常稱(chēng)為 CMP (Chemical Mechanical Polishing)。這個(gè)過(guò)程是晶圓表面用含有磨料的CMP漿料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，這些拋光液一般含有活性化學(xué)制劑。

為什么叫化學(xué)機(jī)械拋光？因?yàn)檎麄€(gè)拋光過(guò)程中，機(jī)械拋光和化學(xué)腐蝕同時(shí)起作用，拋光作用部分是機(jī)械研磨的，部分是化學(xué)腐蝕的?；瘜W(xué)作用腐蝕晶圓表面，然后通過(guò)拋光設(shè)備向被拋元件施加機(jī)械壓力，機(jī)械研磨帶走腐蝕的表面材料，從而提高材料去除率。根據(jù)被拋光材料的特性，新創(chuàng)納會(huì)量身定做各種cmp拋光液。

化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用

新創(chuàng)納生產(chǎn)的CMP化學(xué)機(jī)械拋光液用途廣泛，專(zhuān)為精度要求高、表面質(zhì)量至關(guān)重要的拋光應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

我們CMP拋光液可根據(jù)客戶(hù)不同的拋光墊、拋光機(jī)等定制，個(gè)性化的滿(mǎn)足您的特殊需求。

可使用 CMP 拋光的具體應(yīng)用領(lǐng)域主要包括：

硅片拋光Cmp

金屬表面拋光，包括不銹鋼拋光、鋁板鋁合金拋光

氮氧化硅、氧化物的拋光

藍(lán)寶石SA、氮化鎵GaN和碳化硅SiC晶圓的拋光

LED芯片的背面減薄拋光

LT鉭酸鋰(LiTaO3)的拋光

氧化鋁拋光液

化學(xué)機(jī)械拋光解決方案

新創(chuàng)納的化學(xué)機(jī)械拋光液可為最大直徑達(dá) 300mm 的晶圓提供納米級(jí)材料去除功能，并可用于目前設(shè)備制造過(guò)程中使用的各種晶圓/基板材料。

它們達(dá)到CMP化學(xué)機(jī)械拋光的行業(yè)控制和去除標(biāo)準(zhǔn)，并產(chǎn)生較好的表面質(zhì)量（0/0 scratch dig），通過(guò)工藝改進(jìn)，還可以達(dá)到Ra亞納米水平。

我們的CMP化學(xué)機(jī)械拋光的進(jìn)一步功能和優(yōu)勢(shì)包括：

拋光過(guò)程中的工藝調(diào)節(jié)

處理超硬材料和軟材料

適合各種晶圓尺寸

可用的高向下負(fù)載設(shè)置

后壓力設(shè)置，以獲得更好的結(jié)果

根據(jù)實(shí)時(shí)監(jiān)控的拋光效果調(diào)節(jié)拋光工藝