碳化硅(SiC)單晶材料作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的代表，由于其具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、高熱導(dǎo)率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高電子飽和遷移速率(~Si的2.5倍)、高擊穿電場(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性，在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢，彌補(bǔ)了傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料器件在實(shí)際應(yīng)用中的缺陷，正逐漸成為功率半導(dǎo)體的主流。

「上海新安納」浙江新創(chuàng)納電子科技有限公司開發(fā)了系列碳化硅晶圓（SiC Wafer）拋光液，主要產(chǎn)品包括：SC- A1901，SC-A1906，SC-AT2000，SC-A2002，SC-AT2012，SC-A1905，SC-S1903等系列碳化硅拋光液。既有碳化硅粗拋液也有碳化硅精拋液：

碳化硅粗拋光液

優(yōu)點(diǎn)：

1. 拋光速率大于2.5μm/h；

2. 拋光表面平整光滑，無明顯劃傷；

3. 壽命長。

應(yīng)用：不同尺寸高純半絕緣體4H-SiC，N型4H-SiC等晶圓拋光。

碳化硅精拋液

優(yōu)點(diǎn)：

1. 拋光表面質(zhì)量好，表面粗糙度Ra<0.15μm；

2. 去除效率高，拋光速率大于1μm/h；

3. 易清洗。

應(yīng)用：不同尺寸高純半絕緣體4H-SiC，N型4H-SiC等晶圓精拋。